掩模的原理是什么

光刻技术的基本思想是硅片表面du上象光强度由掩模上各zhi个透光孔衍射的波dao的组合确定。图形特征尺寸、离焦量对象衬比、光强度、分辨率和象质有重要的影响。图形刻划的主要判据是图形的衬比。 Levenson等人,提出的PSM方法可使衬比改善,分辨率比传统方法改善40%一10 0%。其原理是使透过掩模图形上相邻透光孔的光束之间产生180度相位差,因而使特征图形周期小时,硅片表面上相邻图形象之间因相消干涉使暗区光强减弱,由能量守恒定律知,势必使图形亮区象增强;而且相邻透光区之间的相位相反,改变了掩模图形的空间频谱分布,消去了直流分量,压窄了频带,换句话说,使用相同的光刻系统,PSM(Levenson型)可使掩模图形的空间频率增加一倍时光刻系统仍能分辨,即分辨率提高一倍。由于反相,产生振幅通过零点,使象强度分布衬比(度)提高,改善了分辨率、边缘陡度和曝光量宽容度。 光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在zui佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形,而且具有更大的焦深和曝光量范围。例如使用PSM,在NA=0.5,λ=248nm,分辨率可达0.15um;NA=0.6,λ=365nm,实际分辨率可达0.2um。相移掩模方法有可能克服线/间隔图形传统光刻方法的局限性。 相移掩模类型多,分类方法也不同,但基本原理都是相邻透光图形透过的光振幅相位相反产生相消干涉、振幅零点和(或)频谱分布压窄,从而改善衬比、分辨率和象质。

http://www.jgsxx.cn/